硅光電晶體管的工作原理

　　光電晶體一般在基極開放狀態使用(外部導線有兩條線的情形比較多)，而將電壓施加至射極、集極之兩個端子，以便將逆偏壓施至集極接合部。在此狀態下，光線入射于基極之表面時，受到逆偏壓之基極、集極間即有光電流(Iλ)流過，射極接地之電晶體的情形也一樣，電流以電晶體之電流放大率(hfe)被放大而成為流至外部端子之光電流(Ic)，電流再經過次段之電晶體的電流放大率被放大，其結果流至外部導線之光電流即為初段之基極、集極間所流過之光電流與初段及后段之電晶體的電流放大率三者之積。

　　硅光電晶體管工作原理

　　由于硅元件較鍺元件有小得多的暗電流和較小的溫度系數。硅光電三極管是用N型硅單晶做成N—P—N結構的。管芯基區面積做得較大，發射區面積卻做得較小，入射光線主要被基區吸收。與光電二極管一樣，入射光在基區中激發出電子與空穴。在基區漂移場的作用下，電子被拉向集電區，而空穴被積聚在靠近發射區的一邊。由于空穴的積累而引起發射區勢壘的降低，其結果相當于在發射區兩端加上一個正向電壓，從而引起了倍率為β+1(相當于三極管共發射極電路中的電流增益)的電子注入，這就是硅光電晶體管的工作原理。